旺宏5篇论文入选IEDM

【新唐人2011年12月1日讯】(中央社记者张建中新竹1日电)记忆体制造厂旺宏电子今天宣布,今年再度有5篇论文入选国际电子元件大会(IEDM),居台湾业界之冠。

旺宏表示,IEDM被视为微电子元件界的奥林匹克盛会,每年吸引全球各地杰出研究成果于会中发表;这会议除提供技术交流平台,同时也是展现研发实力的重要橱窗。

旺宏指出,今年IEDM预计12月5日至7日在美国华盛顿特区举行;今年共有来自全球逾600篇论文投稿,最后评选出200余篇于会中发表。

全球以美国IBM入选论文数量最多,达22篇;欧洲比利时微电子研究中心(IMEC)有16篇入选,居次。

台湾则以交大入选论坛数量最多,达6篇,旺宏有5篇论文入选;另外,国家奈米实验室有4篇论文入选,工研院有3篇论文入选,台积电有2篇论文入选。

旺宏表示,今年入选论文主要是针对PCM、ReRAM及BE-SONOS等次世代非挥发性记忆体的材料结构、可靠性及制程微缩等问题,进行深入探讨;旺宏10年来在IEDM共发表41篇论文,研发颇具成果。

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