美日20多廠合作 研發MRAM技術

【新唐人2013年11月24日訊】 「日經新聞」今天(24日)報導,日本及美國超過20家晶片製造商,將攜手開發下一代磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)的量產技術。

據中央社編譯報導,美國晶片大廠美光科技公司(Micron Technology)及東京威力科創公司(Tokyo Electron)將主導合作開發案,希望於3年內讓技術臻於成熟,並於2018年開始量產。

日經報導,磁阻式隨機存取記憶體容量將是動態隨機存取記憶體(DRAM)的10倍,功耗將降低至目前標準的約2/3。

根據支持者,MRAM將提高運算速度並降低耗電量,電池續航力將更強大。

日經報導,信越化學工業株式會社(Shin-Etsu Chemical)、瑞薩電子公司(Renesas Electronics)及日立(Hitachi)等企業,都參與這項合作開發案。

根據報導,日本東芝(Toshiba)及南韓海力士(SK Hynix)也另外合力開發MRAM技術,南韓三星電子(Samsung Electronics)則是自行研發MRAM技術。

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